IRG7PH35UD1PBF
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Infineon Technologies IRG7PH35UD1PBF

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型号

IRG7PH35UD1PBF

utmel 编号

1211-IRG7PH35UD1PBF

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 1200V 50A 179W TO247

起订量

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IRG7PH35UD1PBF
IRG7PH35UD1PBF Infineon Technologies IGBT 1200V 50A 179W TO247

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IRG7PH35UD1PBF详情

Infineon Technologies IRG7PH35UD1PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    50A

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    600V, 20A, 10 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 基本部件号

    IRG7PH35

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    179W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247AC

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 最大耗散功率(Abs)

    179W

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.2V @ 15V, 20A

  • 关断时间-标准值(toff)

    400 ns

  • IGBT类型

    Trench

  • 闸门收费

    85nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    150A

  • Td(开/关)@25°C

    -/160ns

  • 开关能量

    620μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    30V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6V

  • 最大下降时间 (tf)

    105ns

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

IRG7PH35UD1PBF拓展信息

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