Infineon Technologies IRGIB7B60KDPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 8A, 50 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

140 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

39W

额定电流

12A

元素配置

Single

功率耗散

39W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

接通延迟时间

23 ns

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

22ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.2V

最大集电极电流

12A

反向恢复时间

95 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

43 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 8A

关断时间-标准值（toff)

220 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

29nC

集极脉冲电流（Icm）

24A

Td（开/关）@25°C

23ns/140ns

开关能量

160μJ (on), 160μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

最大下降时间 (tf)

56ns

高度

16.12mm

长度

10.6172mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅