Infineon Technologies IRGP4066D-EPBF

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 75A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

200 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

454W

上升时间-最大值

90ns

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

50 ns

功率 - 最大

454W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

140A

反向恢复时间

155 ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

接通时间

120 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

310 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

150nC

集极脉冲电流（Icm）

225A

Td（开/关）@25°C

50ns/200ns

开关能量

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

最大下降时间 (tf)

80ns

高度

20.7mm

长度

15.87mm

宽度

5.13mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅