Infineon Technologies IRGP4750DPBF
- 收藏
- 对比
IRGP4750DPBF
1211-IRGP4750DPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

IGBT 650V TO-247
--最小包装量--
IRGP4750DPBF详情
Infineon Technologies IRGP4750DPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V
Test Conditions
400V, 35A, 10 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
273W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
273W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
70A
反向恢复时间
150 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 35A
闸门收费
105nC
集极脉冲电流(Icm)
105A
Td(开/关)@25°C
50ns/105ns
开关能量
1.3mJ (on), 500μJ (off)
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.31mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
IRGP4750DPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。