Infineon Technologies IRLML5103TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

Micro(SOT23)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

760mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540mW Ta

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

600mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-610mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 600mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

75pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.1nC @ 10V

上升时间

8.2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

-760mA

阈值电压

-1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.76A

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

栅源电压

-1 V

最小击穿电压

30V

高度

1.016mm

长度

3.0226mm

宽度

1.397mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅