Infineon Technologies MMBT3904LT1HTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

330mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

200mA

频率

300MHz

基本部件号

MMBT3904

配置

SINGLE

功率耗散

330mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最大结点温度（Tj）

150°C

关断时间-最大值（toff)

250ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

高度

1.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅