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价格梯度

内地含税价

1

￥1.268549
10

￥1.196745
100

￥1.129004
500

￥1.065099
1000

￥1.00481

Infineon Technologies MMBTA06LT1HTSA1

Name: MMBTA06LT1HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-MMBTA06LT1HTSA1
Price: 1.27 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMBTA06LT1HTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-MMBTA06LT1HTSA1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor Gp Bjt PNP 80V 500MA 3-PIN SOT-23 T/r

起订量

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MMBTA06LT1HTSA1 Infineon Technologies Transistor Gp Bjt PNP 80V 500MA 3-PIN SOT-23 T/r

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MMBTA06LT1HTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies MMBTA06LT1HTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
供应商器件包装

SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V
Current-Collector (Ic) (Max)

500mA
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2011
零件状态

最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-65°C
电压 - 额定直流

80V
最大功率耗散

330mW
额定电流

500mA
频率

100MHz
基本部件号

MMBTA
极性

NPN
功率耗散

330mW
功率 - 最大

330mW
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

80V
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流

100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

80V
最大击穿电压

80V
频率转换

100MHz
集电极基极电压(VCBO)

80V
发射极基极电压 (VEBO)

4V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

MMBTA06LT1HTSA1拓展信息

热销零件