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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.192496
10
¥2.068389
100
¥1.951313
500
¥1.840861
1000
¥1.736663
Infineon Technologies MMBTA42LT1HTSA1
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- 对比
MMBTA42LT1HTSA1
1211-MMBTA42LT1HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBTA42LT1HTSA1详情
Infineon Technologies MMBTA42LT1HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
300V
最大功率耗散
360mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
500mA
频率
70MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
MMBTA
配置
SINGLE
功率耗散
360mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
转换频率
70MHz
最大击穿电压
300V
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBTA42LT1HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







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