PTFA212001EV4R250XTMA1
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Infineon Technologies PTFA212001EV4R250XTMA1

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型号

PTFA212001EV4R250XTMA1

utmel 编号

1211-PTFA212001EV4R250XTMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

2-Flatpack, Fin Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

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PTFA212001EV4R250XTMA1
PTFA212001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

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PTFA212001EV4R250XTMA1详情

Infineon Technologies PTFA212001EV4R250XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 包装/外壳

    2-Flatpack, Fin Leads

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 额定电流

    10μA

  • 端子位置

    DUAL

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    10μA

  • 频率

    2.14GHz

  • 基本部件号

    PTFA212001

  • JESD-30代码

    R-XDFM-F2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    1.6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 增益

    15.8dB

  • 漏源击穿电压

    65V

  • 功率 - 输出

    50W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    30V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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