Infineon Technologies SKB10N60AATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 10A, 25 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

92W

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

92W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

20A

反向恢复时间

220 ns

接通时间

40 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

224 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

52nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

28ns/178ns

开关能量

320μJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅