Infineon Technologies SMBT3906SH6327XTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

330mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

250MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

极性

PNP

功率耗散

330mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅