注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.0529
10
¥0.993301
100
¥0.937076
500
¥0.884035
1000
¥0.833995
Infineon Technologies SMBTA14E6327HTSA1
- 收藏
- 对比
SMBTA14E6327HTSA1
1211-SMBTA14E6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SMBTA14E6327HTSA1详情
Infineon Technologies SMBTA14E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Power Dissipation (Max)
330mW
Number of Elements
1
hFEMin
20000
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
300mA
基本部件号
MBTA14
极性
NPN
元素配置
Single
无卤素
不含卤素
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
1.5V
最大集电极电流
300mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20000 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 100μA, 100mA
转换频率
125MHz
最大击穿电压
30V
频率转换
125MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
10V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SMBTA14E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。