Infineon Technologies SMBTA64E6327
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SMBTA64E6327
1211-SMBTA64E6327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
1最小包装量--
SMBTA64E6327详情
Infineon Technologies SMBTA64E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
额定电流
-500mA
基本部件号
MBTA64
资历状况
不合格
功率 - 最大
330mW
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
1.5V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20000 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 100μA, 100mA
转换频率
125MHz
最大击穿电压
30V
频率转换
125MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
SMBTA64E6327拓展信息
Infineon Technologies
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