Infineon Technologies SPP07N60S5

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

170 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2004

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

650V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

7.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

120 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 4.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 350μA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

970pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

7.3A

阈值电压

4.5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14.6A

高度

9.45mm

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅