Infineon Technologies SPS04N60C3BKMA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

58.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 2.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 200μA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

490pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

2.5ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.5 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅