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Infineon Technologies AG BSM150GAL120DN2E3166

Name: BSM150GAL120DN2E3166
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-BSM150GAL120DN2E3166
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BSM150GAL120DN2E3166

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-BSM150GAL120DN2E3166

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-7

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BSM150GAL120DN2E3166 Infineon Technologies AG Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-7

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BSM150GAL120DN2E3166详情

技术参数

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Infineon Technologies AG BSM150GAL120DN2E3166重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

7
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code

MODULE
Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Number of Elements

1
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)

670 ns
Turn-on Time-Nom (ton)

300 ns
ECCN 代码

EAR99
附加功能

FAST
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
Reach合规守则

unknown
引脚数量

7
JESD-30代码

R-XUFM-X7
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

通用开关
极性/通道类型

N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)

210 A
集电极-发射器电压-最大值

1200 V

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技术文档: Infineon Technologies AG BSM150GAL120DN2E3166.

数据表 :
331e48ab34a353f3fccf1b5c16760786.pdf

BSM150GAL120DN2E3166拓展信息

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