BSM150GB100D
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Infineon Technologies AG BSM150GB100D

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型号

BSM150GB100D

utmel 编号

1211-BSM150GB100D

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-7

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BSM150GB100D Infineon Technologies AG Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-7

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BSM150GB100D详情

Infineon Technologies AG BSM150GB100D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Part Package Code

    MODULE

  • Package Description

    POWER MODULE-7

  • Number of Elements

    2

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    7

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极电流-最大值(IC)

    150 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1000 V

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG BSM150GB100D.

BSM150GB100D拓展信息

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