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Infineon Technologies AG BSM151R

Name: BSM151R
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-BSM151R
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BSM151R

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-BSM151R

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SIMOPAC-4

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BSM151R Infineon Technologies AG Description: Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SIMOPAC-4

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BSM151R详情

技术参数

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Infineon Technologies AG BSM151R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description

POWER, SIMOPAC-4
Drain Current-Max (ID)

48 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
Reach合规守则

compliant
引脚数量

4
JESD-30代码

R-PUFM-X4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.12 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

192 A
DS 击穿电压-最小值

500 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

625 W

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BSM151R拓展信息

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