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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 FD600R17KF6B2
FD600R17KF6B2
FD600R17KF6B2

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Infineon Technologies AG FD600R17KF6B2

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型号

FD600R17KF6B2

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-FD600R17KF6B2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES,

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FD600R17KF6B2
FD600R17KF6B2 Infineon Technologies AG Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES,

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FD600R17KF6B2详情

技术参数

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Infineon Technologies AG FD600R17KF6B2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Package Description

    ,

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • Reach合规守则

    compliant

  • 最大耗散功率(Abs)

    4800 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    600 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1700 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3.1 V

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG FD600R17KF6B2.

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