Infineon Technologies AG IGB50N60T

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

JESD-609代码

e3

无铅代码

icon-pbfree yes

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大耗散功率(Abs)

333W

接通时间

60 ns

集电极电流-最大值(IC)

100A

关断时间-标准值（toff)

396 ns

集电极-发射器电压-最大值

600V

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.7V

RoHS状态

符合RoHS标准