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Infineon Technologies AG IPT017N10NF2S

Name: IPT017N10NF2S
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-IPT017N10NF2S
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPT017N10NF2S

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-IPT017N10NF2S

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 294A I(D), 100V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSOF-8

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IPT017N10NF2S Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 294A I(D), 100V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSOF-8

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IPT017N10NF2S详情

技术参数

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Infineon Technologies AG IPT017N10NF2S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
外壳材料

1
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description

HSOF-8
Drain Current-Max (ID)

294 A
Operating Temperature-Max

175 °C
Operating Temperature-Min

-55 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

FLAT
Reach合规守则

compliant
参考标准

IEC-61249-2-21
JESD-30代码

R-PSSO-F8
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.00175 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1176 A
DS 击穿电压-最小值

100 V
雪崩能量等级（Eas）

225 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

300 W
反馈上限-最大值 (Crss)

62 pF
饱和电流

1

0个相似型号

IPT017N10NF2S拓展信息

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