Infineon Technologies AG IRF540NS
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IRF540NS
1211-IRF540NS
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3
1最小包装量--
IRF540NS详情
Infineon Technologies AG IRF540NS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
PLASTIC, D2PAK-3
Drain Current-Max (ID)
33 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.044 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
110 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
185 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
IRF540NS拓展信息
Infineon Technologies AG
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