Infineon Technologies AG IRFH7928TRPBF
- 收藏
- 对比
IRFH7928TRPBF
1211-IRFH7928TRPBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
1最小包装量--
IRFH7928TRPBF详情
Infineon Technologies AG IRFH7928TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
Drain Current-Max (ID)
26 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-N8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0029 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
208 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
168 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.1 W
IRFH7928TRPBF拓展信息
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG







哦! 它是空的。