Infineon Technologies AG PTB20216
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PTB20216
1211-PTB20216
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
1最小包装量--
PTB20216详情
Infineon Technologies AG PTB20216重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
CHIP CARRIER, R-CQCC-N3
Number of Elements
1
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CQCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
1 A
集电极-发射器电压-最大值
20 V
最高频段
L带
PTB20216拓展信息
Infineon Technologies
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