PTB20216
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Infineon Technologies AG PTB20216

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型号

PTB20216

utmel 编号

1211-PTB20216

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN

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PTB20216 Infineon Technologies AG RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN

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PTB20216详情

Infineon Technologies AG PTB20216重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Package Description

    CHIP CARRIER, R-CQCC-N3

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    无铅

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-CQCC-N3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    1 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    20 V

  • 最高频段

    L带

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG PTB20216.

PTB20216拓展信息

BFN27E6327HTSA1
BFN27E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCV47E6327HTSA1
BCV47E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCX41E6327HTSA1
BCX41E6327HTSA1

Infineon Technologies

SMBT2907AE6327HTSA1
SMBT2907AE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCX70JE6327HTSA1
BCX70JE6327HTSA1

Infineon Technologies

BC848CE6327HTSA1
BC848CE6327HTSA1

Infineon Technologies

BC817K40E6327HTSA1
BC817K40E6327HTSA1

Infineon Technologies

BC847BWH6327XTSA1
BC847BWH6327XTSA1

Infineon Technologies

BFN26E6327HTSA1
BFN26E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCX70KE6327HTSA1
BCX70KE6327HTSA1

Infineon Technologies

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