注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Infineon Technologies AG SPB04N60C2

Name: SPB04N60C2
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-SPB04N60C2
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SPB04N60C2

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-SPB04N60C2

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

SPB04N60C2 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SPB04N60C2详情

技术参数

PDF文档

Infineon Technologies AG SPB04N60C2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code

TO-263
Package Description

PLASTIC, D2PAK-3
Drain Current-Max (ID)

4.5 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
附加功能

雪崩额定
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

not_compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻

0.95 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9 A
DS 击穿电压-最小值

600 V
雪崩能量等级（Eas）

130 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

50 W

0个相似型号

SPB04N60C2拓展信息

热销零件