IXBF20N360
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IXYS IXBF20N360

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型号

IXBF20N360

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXBF20N360

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

i4-Pac™-5

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors 3600V/45A Reverse Conducting IGBT

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IXBF20N360详情

IXYS IXBF20N360重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    i4-Pac™-5

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    3.6kV

  • Test Conditions

    1500V, 20A, 10 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    BIMOSFET™

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    230W

  • Reach合规守则

    unknown

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    230W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    3.4V

  • 最大集电极电流

    45A

  • 反向恢复时间

    1.7 μs

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    3600V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    3.4V @ 15V, 20A

  • 闸门收费

    43nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    220A

  • Td(开/关)@25°C

    18ns/238ns

  • 开关能量

    15.5mJ (on), 4.3mJ (off)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和IXYS & IXBF20N360相似的参数规格。

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IXBF20N360拓展信息

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