IXYS IXBH40N160

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.6kV

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 20A, 22 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

BIMOSFET™

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

附加功能

BIPOLAR MOS TRANSISTOR WITH COLLECTOR-EMITTER ON RESISTANCE OF 0.24 OHMS

电压 - 额定直流

1.6kV

最大功率耗散

350W

额定电流

33A

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

350W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

60ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.6kV

最大集电极电流

33A

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1600V

接通时间

260 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

7.1V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

310 ns

闸门收费

130nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

栅极-发射极电压-最大值

20V

VCEsat-最大值

6 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

700ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅