IXYS IXBN75N170

工厂交货时间

28 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

BIMOSFET™

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

625W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

IXB*75N170

引脚数量

4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

625W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.1V

最大集电极电流

145A

最大集极截止电流

25μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

输入电容

6.93nF

接通时间

277 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

840 ns

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

6.93nF @ 25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant