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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥190.225051
10
¥179.457597
100
¥169.29962
500
¥159.716624
1000
¥150.676063
IXGN50N120C3H1详情
IXYS IXGN50N120C3H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
GenX3™
已出版
2010
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Nickel (Ni)
附加功能
ULTRA FAST, UL RECOGNIZED
最大功率耗散
460W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-XUFM-X4
配置
Single
功率耗散
460W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
4.2V
最大集电极电流
95A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
4.3nF
接通时间
60 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
4.2V @ 15V, 40A
关断时间-标准值(toff)
485 ns
IGBT类型
PT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
4.3nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXGN50N120C3H1拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS








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