IXGN50N120C3H1
IXGN50N120C3H1

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IXYS IXGN50N120C3H1

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型号

IXGN50N120C3H1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXGN50N120C3H1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode

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IXGN50N120C3H1
IXGN50N120C3H1 IXYS IGBT Modules High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode

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IXGN50N120C3H1详情

IXYS IXGN50N120C3H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.2kV

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 系列

    GenX3™

  • 已出版

    2010

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • 端子表面处理

    Nickel (Ni)

  • 附加功能

    ULTRA FAST, UL RECOGNIZED

  • 最大功率耗散

    460W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X4

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    460W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    4.2V

  • 最大集电极电流

    95A

  • 最大集极截止电流

    250μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 输入电容

    4.3nF

  • 接通时间

    60 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    4.2V @ 15V, 40A

  • 关断时间-标准值(toff)

    485 ns

  • IGBT类型

    PT

  • NTC热敏电阻

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    4.3nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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IXGN50N120C3H1拓展信息

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