IXYS IXGN82N120B3H1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

GenX3™

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED

最大功率耗散

595W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

595W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.2V

最大集电极电流

145A

最大集极截止电流

50μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

7.9nF

接通时间

112 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 82A

关断时间-标准值（toff)

760 ns

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

7.9nF @ 25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant