IXTL2X180N10T
IXTL2X180N10T

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IXYS IXTL2X180N10T

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型号

IXTL2X180N10T

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXTL2X180N10T

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

ISOPLUSi5-Pak™

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 5-Pin ISOPLUS i5-Pac

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IXTL2X180N10T
IXTL2X180N10T IXYS Trans MOSFET N-CH 100V 100A 5-Pin ISOPLUS i5-Pac

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IXTL2X180N10T详情

IXYS IXTL2X180N10T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    30 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    ISOPLUSi5-Pak™

  • 引脚数

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    42 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    Trench™

  • 已出版

    2012

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 最大功率耗散

    150W

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMPLEX

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    150W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.4m Ω @ 50A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6900pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    151nC @ 10V

  • 上升时间

    54ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 下降时间(典型值)

    31 ns

  • 连续放电电流(ID)

    100A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0074Ohm

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: IXYS IXTL2X180N10T.

右边的3个型号有着和IXYS & IXTL2X180N10T相似的参数规格。

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IXTL2X180N10T拓展信息

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