注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
IXTY01N80
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXTY01N80
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
起订量
--最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
IXTY01N80详情
技术参数
PDF文档
型号对比
IXYS IXTY01N80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
25W Tc
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2003
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
25W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50 Ω @ 100mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
60pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
连续放电电流(ID)
100mA
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.1A
漏源击穿电压
800V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
0.4A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
技术文档: IXYS IXTY01N80.
右边的3个型号有着和IXYS & IXTY01N80相似的参数规格。
Surface Mount
100mA (Tc)
100 mA
-55°C ~ 150°C (TJ)
Infineon Technologies
4A (Tc)
4 A
5.7A (Tc)
5.7 A
ON Semiconductor
6A (Tc)
6 A
3.9A (Tc)
3.9 A
查看更多
IXTY01N80拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IXFH80N65X2
封装:TO-247-3
品牌:IXYS
¥55.275364
型号:IXTQ200N10T
封装:TO-3P-3, SC-65-3
库存:210
型号:IXFN420N10T
封装:SOT-227-4, miniBLOC
库存:50
型号:IXTH48N65X2
¥70.344864
型号:IXFH46N65X2
¥53.443373
型号:IXFH60N65X2
¥81.992796
购物车 (0件产品)