IXYS IXTY02N50D

工厂交货时间

24 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta 25W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

PURE TIN

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1.1W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30 Ω @ 50mA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

120pF @ 25V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

200mA

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.8A

场效应管特性

耗尽模式

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅