IXYS IXTY08N50D2

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.6 Ω @ 400mA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

312pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.7nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

800mA

场效应管特性

耗尽模式

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅