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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥207.662454
10
¥195.907977
100
¥184.818844
500
¥174.357405
1000
¥164.488117
IXXN110N65B4H1详情
IXYS IXXN110N65B4H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
质量
30.000004g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~175°C TJ
系列
XPT™, GenX4™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
750W
基本部件号
110N65
配置
Single
功率 - 最大
750W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.1V
最大集电极电流
215A
最大集极截止电流
50μA
输入电容
3.65nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 110A
IGBT类型
PT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
3.65nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXXN110N65B4H1拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS








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