IXXN110N65B4H1
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IXYS IXXN110N65B4H1

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型号

IXXN110N65B4H1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXN110N65B4H1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT

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IXXN110N65B4H1
IXXN110N65B4H1 IXYS IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT

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IXXN110N65B4H1详情

IXYS IXXN110N65B4H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 质量

    30.000004g

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    650V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.1V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 系列

    XPT™, GenX4™

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    750W

  • 基本部件号

    110N65

  • 配置

    Single

  • 功率 - 最大

    750W

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.1V

  • 最大集电极电流

    215A

  • 最大集极截止电流

    50μA

  • 输入电容

    3.65nF

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 110A

  • IGBT类型

    PT

  • NTC热敏电阻

    无

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    3.65nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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IXXN110N65B4H1拓展信息

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