IXYS MDI75-12A3

工厂交货时间

32 Weeks

底架

Chassis Mount, Panel

安装类型

底座安装

包装/外壳

Y4-M5

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

370W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

MDI

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X5

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

370W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

90A

最大集极截止电流

4mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

3.3nF

接通时间

170 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

570 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

3.3nF @ 25V

VCEsat-最大值

3 V

高度

30mm

长度

94mm

宽度

34mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅