IXYS MIXA61H1200ED

工厂交货时间

25 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

E2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

4

操作温度

-40°C~125°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

290W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-XUFM-X12

配置

全桥逆变器

功率耗散

290W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

85A

最大集极截止电流

500μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

110 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 55A

关断时间-标准值（toff)

350 ns

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant