2N6764T1
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Microchip 2N6764T1

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型号

2N6764T1

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-2N6764T1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 100V 38A TO3

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2N6764T1
2N6764T1 Microchip MOSFET N-CH 100V 38A TO3

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2N6764T1详情

Microchip 2N6764T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 表面安装

    NO

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    铝合金

  • 插入材料

    Polyphenylene Sulfide (PPS)

  • 终端数量

    3

  • 后壳材料,电镀

    -

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    -

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    2M801-010

  • 厂商

    Amphenol Aerospace Operations

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2N6764T1

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Microsemi Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.73

  • Part Package Code

    TO-254AA

  • Drain Current-Max (ID)

    38 A

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C

  • 系列

    2M

  • 终端

    Crimp

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Receptacle, Male Pins

  • 定位的数量

    10

  • 颜色

    橄榄色

  • 应用

    -

  • 紧固类型

    Threaded

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 额定电流

    7.5A

  • 端子位置

    SINGLE

  • 方向

    A

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 屏蔽/屏蔽

    Shielded

  • 入口保护

    IP67 - Dust Tight, Waterproof

  • Reach合规守则

    compliant

  • 外壳完成

    橄榄色锌镍

  • 引脚数量

    3

  • 外壳尺寸-插入

    9-210

  • JESD-30代码

    S-XSFM-P3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 电缆开口

    -

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-254AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    38 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.065 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    150 W

  • 特征

    -

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

  • 材料可燃性等级

    -

0个相似型号

2N6764T1拓展信息

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