VP2450N8-G
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Microchip Technology VP2450N8-G

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型号

VP2450N8-G

utmel 编号

1610-VP2450N8-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 500V 30Ohm

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VP2450N8-G
VP2450N8-G Microchip Technology MOSFET 500V 30Ohm

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VP2450N8-G详情

Microchip Technology VP2450N8-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • 引脚数

    4

  • 质量

    52.786812mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    160mA Tj

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.6W Ta

  • Turn Off Delay Time

    45 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.6W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    30 Ω @ 100mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    190pF @ 25V

  • 上升时间

    25ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    160mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -500V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    0.8A

  • 高度

    1.6mm

  • 长度

    4.6mm

  • 宽度

    2.6mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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