Microchip Technology DN3545N8-G

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

质量

52.786812mg

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

快速切换

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSSO-F3

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

1.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20 Ω @ 150mA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

360pF @ 25V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

450V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

450V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.3A

场效应管特性

耗尽模式

高度

1.6mm

长度

4.6mm

宽度

2.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅