Microchip Technology 2N7002-G
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2N7002-G
1610-2N7002-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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立即发货

Mosfet; N-channel Enhancement Mode; 60V; 7.5 OHM3 SOT-23T/R
--最小包装量--
2N7002-G详情
Microchip Technology 2N7002-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
115mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
高输入阻抗
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
360mW
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
115mA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
60V
环境温度范围高
150°C
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
1.12mm
长度
2.92mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N7002-G拓展信息
Microchip Technology
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