VN2410L-G
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Microchip Technology VN2410L-G

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型号

VN2410L-G

utmel 编号

1610-VN2410L-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3

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VN2410L-G Microchip Technology MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3

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VN2410L-G详情

Microchip Technology VN2410L-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 引脚数

    3

  • 质量

    453.59237mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    190mA Tj

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1W Tc

  • Turn Off Delay Time

    23 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    高输入阻抗

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT APPLICABLE

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT APPLICABLE

  • 资历状况

    不合格

  • 通道数量

    1

  • 电压

    240V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    2A

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1W

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    125pF @ 25V

  • 上升时间

    8ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    24 ns

  • 连续放电电流(ID)

    190mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    240V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    20 pF

  • 高度

    5.334mm

  • 长度

    5.21mm

  • 宽度

    4.19mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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