Microchip Technology VN2410L-G
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VN2410L-G
1610-VN2410L-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
--最小包装量--
VN2410L-G详情
Microchip Technology VN2410L-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
190mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
高输入阻抗
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT APPLICABLE
资历状况
不合格
通道数量
1
电压
240V
元素配置
Single
电流
2A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
125pF @ 25V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
190mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
240V
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
高度
5.334mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
VN2410L-G拓展信息
Microchip Technology
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