Microchip APL602J

安装类型

表面贴装

包装/外壳

HC-49/US

表面安装

NO

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Base Product Number

APL602

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

43A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

12V

Power Dissipation (Max)

565W (Tc)

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APL602J

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.28

Part Package Code

ISOTOP

Drain Current-Max (ID)

43 A

操作温度

-30°C ~ 85°C

系列

SXTHM2

尺寸/尺寸

0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)

JESD-609代码

e1

类型

兆赫晶体

端子表面处理

锡银铜

附加功能

UL 认证

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

30 MHz

频率稳定性

±25ppm

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

30 Ohms

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

负载电容

18pF

操作模式

Fundamental

箱体转运

ISOLATED

频率容差

±25ppm

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

125mOhm @ 21.5A, 12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9000 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

43 A

漏极-源极导通最大电阻

0.125 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

172 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

565 W

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.177 (4.50mm)