Microchip APT1001R1BN

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247AD

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

310W (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

APT1001R1BN

Turn-on Time-Max (ton)

62 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Turn-off Time-Max (toff)

143 ns

Risk Rank

5.65

Drain Current-Max (ID)

10.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS IV®

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

310

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1Ohm @ 5.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

310 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

160 pF

环境耗散-最大值

310 W