Microchip APT1001RBN

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247AD

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

310W (Tc)

Product Status

Obsolete

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS IV®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率耗散

310 W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1Ohm @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

11 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

场效应管特性

-