Microchip APT10035B2LLG

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1 kV

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

36 ns

Package Description

ROHS COMPLIANT, TMAX-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT10035B2LLG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.13

Drain Current-Max (ID)

28 A

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

690 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

28 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

690 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

1 kV

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

28 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

28 A

漏极-源极导通最大电阻

0.35 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

112 A

输入电容

5.185 nF

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

690 W

最大rds

350 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅