Microchip APT1003RKLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220 [K]

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

139W (Tc)

Product Status

Obsolete

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1 kV

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

139 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

4 A

功率耗散

139 W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3Ohm @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

694 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34 nC @ 10 V

上升时间

4 ns

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

MOSFET

连续放电电流(ID)

4 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

694 pF

场效应管特性

-

最大rds

3 Ω

产品类别

MOSFET

辐射硬化

无

无铅

无铅